存储元件、存储元件阵列及存储元件的驱动方法

摘要

本发明涉及一种存储元件、存储元件阵列及存储元件的驱动方法。提供一种包括双PN结的存储元件及其驱动方法，其特征在于，包括：包括至少一个双PN结的半导体层；以及同时与所述半导体层接触的阳极及阴极；所述半导体层与所述阳极的接合为肖特基结，与所述阴极的接合为欧姆结。另外，提供一种包括双PN结和控制栅的无电容器存储元件及其驱动方法，其特征在于，包括：包括至少一个双PN结的半导体层；与所述半导体层相接的控制栅；以及同时与所述半导体层接触的阳极及阴极；所述半导体层与所述阳极的接合为肖特基结，与所述阴极的接合为欧姆结。