击穿电压温度系数可调的Trench MOSFET器件及制备方法

摘要

本发明提供一种击穿电压温度系数可调的Trench MOSFET器件及制备方法，包括P+衬底、金属化漏极、P‑漂移区、氧化层、金属化源极、栅电极、N‑掺杂区、P+重掺杂区、N+重掺杂区；本发明有效解决了Trench MOSFET穿通击穿电压随温度升高而增大所带来的可靠性问题。显然，本发明中所有的N型区和P型区可完全对换，对换后形成导电类型相反的器件。