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公开/公告号CN113991045A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-28
原文格式PDF
申请/专利权人 苏州大学;
申请/专利号CN202111182316.3
发明设计人 任振伟;陈煜;
申请日2021-10-11
分类号H01L51/56(20060101);H01L51/54(20060101);H01L51/50(20060101);
代理机构32276 苏州根号专利代理事务所(普通合伙);
代理人仇波
地址 215137 江苏省苏州市相城区济学路8号
入库时间 2023-06-19 14:01:55
机译: 包含多维钙钛矿发光层的发光二极管及其制备方法
机译: 钙钛矿发光装置的发光层,其制造方法以及使用该钙钛矿发光装置的钙钛矿发光装置
机译:钙钛矿白光发光二极管,带有钙钛矿发光层与罗丹明6G混合
机译:钙钛矿晶体的精细控制和使用自掺杂聚苯胺空穴注入层的高效钙钛矿发光二极管的减少发光淬火
机译:多功能p型碳量子点:一种新型空穴注入层,用于高性能钙钛矿发光二极管,具有显着增强的稳定性
机译:不同电子传输层对钙钛矿发光二极管电致发光性能的研究
机译:用于蓝光发射的纯溴化物钙钛矿纳米片
机译:基于纯有机荧光到现代热激活延迟荧光(TADF)和钙钛矿材料的白光发光二极管
机译:PEDOT的影响:PSS:去复合孔输送层对钙钛矿发光二极管发光的影响
机译:用于固态照明的纳米结构高性能紫外和蓝光发光二极管