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一种具有片上温度补偿的双谐振器及生产工艺

摘要

一种具有片上温度补偿的双谐振器,锚点通过弹簧与振荡器连接,驱动电极和感应电极与振荡器连接,振荡器表面带有重掺杂氧化层;分为高温振荡器和低温振荡器两段,低温振荡器与MEMS芯片边缘呈15‑40度的夹角。一种具有片上温度补偿的双谐振器的生产工艺,刻蚀电极和低温振荡器天窗:通过深紫外刻蚀技术在SOI的器件层上刻蚀天窗,以形成振荡器与金属导线间的欧姆接触,沉积金属电极;将MEMS晶圆与电路晶圆键合:减薄抛光,形成终端互联。本发明的优点:通过频率温度补偿调整谐振器固有频率,提高压力传感器的输出精度,可以应用于MEMS谐振式压力传感器,或定时谐振器,过滤器,陀螺仪,谐振式化学传感器等领域。

著录项

  • 公开/公告号CN113992179A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 罕王微电子(辽宁)有限公司;

    申请/专利号CN202111469524.1

  • 申请日2021-12-03

  • 分类号H03H9/02(20060101);H03H3/013(20060101);G01L1/16(20060101);

  • 代理机构21001 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司;

  • 代理人张晨

  • 地址 113000 辽宁省抚顺市经济开发区北厚西出口21#楼(一层)

  • 入库时间 2023-06-19 14:01:55

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