一种P型半导体薄膜氧化铋铜及其制备方法与应用

摘要

本发明公开了一种P型半导体薄膜氧化铋铜及其制备方法与应用，采用脉冲激光溅射法制备混合膜，再通过退火使混合膜形成CuBi2O4薄膜；脉冲激光溅射法制备混合膜的靶材为混合靶材，混合靶材由氧化铜粉末和氧化铋粉末通过热压烧结法制备获得。本发明制备的P型半导体薄膜氧化铋铜纯度更高、结晶性更好，从而具有更高的光电转化效率。