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公开/公告号CN113960438A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-21
原文格式PDF
申请/专利权人 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂);
申请/专利号CN202111000558.6
发明设计人 吴王进;古进;王军;龚昌明;蒋兴彪;蒋娜;
申请日2021-08-30
分类号G01R31/26(20140101);
代理机构52106 贵阳中工知识产权代理事务所;
代理人杨成刚
地址 550018 贵州省贵阳市乌当区新添大道北段270号
入库时间 2023-06-19 13:58:51
机译: 一种用于特性曲线的方法或取决于特性场的方法,该特性曲线通过主动或半主动转向系统的方向盘或通过机动车转向柱的踏板来改变,或者施加扭矩
机译: 一种用于特性曲线的方法或取决于特性场的方法,该特性曲线通过主动或半主动转向系统的方向盘或通过汽车转向柱的踏板来改变,或者施加扭矩
机译: 测试装置的表面特性,测试系统的表面特性和测试方法的表面特性
机译:一种用于减小反向偏置pn结泄漏电流的新型MOSFET结构的设计与开发
机译:一种新型 的4H-SiC 超级结 UMOSFET 与 异质结 二极管 的 增强型反向 恢复 特性和低 开关损耗
机译:通过从pn结的电流-电压特性曲线中提取参数来进行无标定温度测量
机译:功率MOS晶体管的实验漏极I-V特性及氧化物钝化PN结的反向漏电流的性质
机译:基于InP的NPN和PNP异质结双极晶体管的设计,技术和特性,可增强高频功率放大。
机译:反向翻转技术:一种替代方法用于在交替的柱子上反向扭转半结
机译:4H-SiC pn结二极管正向和反向特性的真实仿真
机译:低压(< 250 V)4H-siC pn结二极管中体积和基本螺旋位错辅助反向击穿的研究 - 第1部分:直流特性