首页> 中国专利> 一种短偏移距电磁勘探的视电阻率-深度剖面生成方法

一种短偏移距电磁勘探的视电阻率-深度剖面生成方法

摘要

本发明公开了一种短偏移距电磁勘探的视电阻率‑深度剖面生成方法。在以感应数定量划分的场区中,分别确定各测点及其各频点或各时窗的记录点位置;将确定后的记录点位置,作为各测点及其各频点或各时窗的赋值点。1条轴向装置的测线,生成1条沿测线方向的视电阻率‑深度剖面;1条赤道向装置的测线,通常生成1条沿测线的视电阻率‑深度剖面,和沿测点至源点方向、数目与测点数相等的视电阻率‑深度剖面。本发明为解决短偏移距探测中非平面波引起的阴影效应提供了一种简便的方法,使视电阻率‑深度剖面解释法具有更广泛的适应性。

著录项

  • 公开/公告号CN113960684A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-21

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江苏大学;

    申请/专利号CN202111147897.7

  • 申请日2021-09-29

  • 分类号G01V3/12(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 212013 江苏省镇江市京口区学府路301号

  • 入库时间 2023-06-19 13:58:51

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号