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公开/公告号CN113963835A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-21
原文格式PDF
申请/专利权人 东华理工大学;
申请/专利号CN202110999510.4
发明设计人 张光辉;刘玉敏;林坤宇;桑天贵;王物达;罗朝君;
申请日2021-08-29
分类号G21H1/06(20060101);
代理机构11725 北京伟思知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人聂宁乐;付艳红
地址 344000 江西省抚州市学府路56号
入库时间 2023-06-19 13:58:51
机译: 金刚石肖特基栅极型场效应晶体管
机译: 半导体器件,绝缘栅型场效应晶体管和肖特基栅型场效应晶体管
机译: 高压碳化硅结势垒肖特基结型场效应晶体管及其制造方法,具有肖特基栅结构
机译:GaN基肖特基β伏特核微电池的设计与仿真
机译:基于肖特基势垒二极管的耐辐射β伏特电池的研究
机译:基于肖特基势垒金刚石二极管的核微电池原型开发
机译:金刚石肖特基势垒二极管和金属半导体场效应晶体管的X射线辐射硬度表征
机译:放射性同位素能量转换系统(RECS):一种基于核,原子和辐射传输原理的新型放射性同位素动力电池。
机译:基于P型伪垂直金刚石肖特基势垒二极管正向电流-电压特性的迁移模型
机译:用于离子束治疗微剂量法的金刚石基肖特基二极管的光谱性质和辐射损伤研究
机译:用于现场应用的镁/间二硝基苯储备型电池。微型储备型镁电池,工作温度范围为+ 125°F至-40°F。