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公开/公告号CN113948135A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-18
原文格式PDF
申请/专利权人 苏州宽温电子科技有限公司;
申请/专利号CN202111286469.2
发明设计人 张立军;陈泽翔;娄圆;张重达;马利军;
申请日2021-11-02
分类号G11C11/413(20060101);
代理机构32364 苏州吴韵知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人王铭陆
地址 215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城1幢606-4室
入库时间 2023-06-19 13:55:46
机译: 兼容静态随机存取存储器(SRAM)的高可用性存储器阵列以及采用同步动态随机存取存储器(DRAM)结合数据高速缓存以及单独的读写寄存器和标签块的方法
机译: 具有简化架构的SRAM用于流水线数据
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