一种神经突触器件及其制备方法、电子设备

摘要

本发明提供了神经突触器件及其制备方法、电子设备，神经突触器件包括硅衬底、纳米沟道、第一微米沟道、第二微米沟道、第一液体、第二液体、第一电极及第二电极等。纳米沟道和第一、第二微米沟道形成于硅衬底上。纳米沟道壁面沉积有氧化铝，纳米沟道两端分别连通第一、第二微米沟道，第一液体设置于第一微米沟道和纳米沟道内，第二液体设置于第二微米沟道和纳米沟道内，与第一液体在纳米沟道中形成互不相溶的界面。本发明通过水解氧化铝的方式在纳米沟道的外壁面形成正电荷，以基于表现出来的离子输运特征形成抑制型神经突触器件。本发明的神经突触器件具有工艺一致性好、性能更稳定以及成本低等优点，有利于神经突触器件的进一步集成。