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公开/公告号CN113936731A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-14
原文格式PDF
申请/专利权人 美光科技公司;
申请/专利号CN202110711718.1
发明设计人 卓依·A·曼宁;T·D·拉森;J·D·哈姆;G·E·胡申;T·P·芬克拜纳;
申请日2021-06-25
分类号G11C29/44(20060101);G11C29/42(20060101);G11C29/26(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人彭晓文
地址 美国爱达荷州
入库时间 2023-06-19 13:54:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-01-14
公开
发明专利申请公布
机译: 非易失性半导体存储系统,例如用于蜂窝电话,具有具有多位存储单元的存储阵列,以及具有修复单元的存储控制器,该修复单元修复存储在修复存储器中的i位数据中的位错误
机译: 用于跨多个存储器聚合故障并将通用缺陷修复解决方案应用于所有多个存储器的方法,系统和装置
机译: 用于汇总多个存储器中的故障并将通用缺陷修复解决方案应用于所有多个存储器的方法,系统和装置
机译:解决方案处理的宽带隙有机半导体纳米结构阵列用于非易失性有机场效应晶体管存储器
机译:用于关联存储器的解决方案处理的互补电阻式开关阵列
机译:采用1×nm CMOS逻辑技术的1-kb FinFET介电电阻随机存取存储器阵列,用于嵌入式非易失性存储器应用
机译:微球栅格阵列:用于非易失性存储器应用的实用芯片尺寸包装解决方案
机译:内置的自我测试和自我修复架构,用于容错的面向字的大容量存储器。
机译:用于回填电阻随机存取存储器阵列的耐久性增强的早期检测电路
机译:解决方案可加工的ZnO薄膜膜膜存储器用于电阻随机存取存储器应用
机译:用于近期Nasa任务的非易失性存储器解决方案