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一种浸渍型钨铼锇三元混合基扩散阴极的制备方法

摘要

一种浸渍型钨铼锇三元混合基扩散阴极的制备方法,涉及微波电真空器件制造技术。在具有铼包覆钨结构的微米级颗粒粉体的基础上添加纳米级锇粉,三元混合粉体经过烧结后,会形成铼锇合金包覆钨颗粒的特殊结构粉体。在阴极基体烧结和阴极浸渍过程中内部钨会向外部扩散,在阴极表面形成稳定的钨铼锇三元合金膜层,由于铼和锇的存在能够提高阴极的电子发射密度。

著录项

  • 公开/公告号CN113936981A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京工业大学;

    申请/专利号CN202111167986.8

  • 申请日2021-09-29

  • 分类号H01J9/04(20060101);H01J1/142(20060101);H01J1/146(20060101);

  • 代理机构11203 北京思海天达知识产权代理有限公司;

  • 代理人张立改

  • 地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号

  • 入库时间 2023-06-19 13:54:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-06-23

    授权

    发明专利权授予

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