首页> 中国专利> 一种生长高质量CsPbBr3单晶的低温溶液方法

一种生长高质量CsPbBr3单晶的低温溶液方法

摘要

本发明公开了一种生长高质量CsPbBr3单晶的低温溶液方法,是以可形成CsPbBr3的原料作为溶质,二甲基亚砜(DMSO)作为溶剂,以甲基氟硅油作为溶剂诱导扩散剂的溶剂诱导扩散方法,在溶质溶剂形成的溶液体系中加入甲基氟硅油后使DMSO向甲基氟硅油侧发生扩散,从而使部分溶液逐渐转为过饱和状态,CsPbBr3晶核从溶液中析出并生长得到CsPbBr3单晶本发明的方法生长速度快,约一周后即可获得厘米尺寸的CsPbBr3单晶。生长的单晶具有缺陷密度小、载流子寿命长等优点,可用于制造高性能光电探测器件。

著录项

  • 公开/公告号CN113913934A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202111202484.4

  • 发明设计人 罗斌;汪雷;汪洋;黄靖云;叶志镇;

    申请日2021-10-15

  • 分类号C30B29/12(20060101);C30B7/14(20060101);

  • 代理机构33200 杭州求是专利事务所有限公司;

  • 代理人万尾甜;韩介梅

  • 地址 325036 浙江省温州市瓯海区凤南路26号

  • 入库时间 2023-06-19 13:52:41

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号