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全介质缺陷圆柱高品质因数折射率传感器及其制作方法

摘要

本发明涉及光学器件技术领域,具体涉及一种全介质缺陷圆柱高品质因数折射率传感器及其制作方法。包括二氧化硅衬底和阵列分布于二氧化硅衬底上表面的全介质超表面结构单元,所述全介质超表面结构单元为弧面朝上的半圆柱结构体,所述半圆柱结构体的轴线与x轴平行;其中,x轴沿二氧化硅衬底宽度方向,y轴沿二氧化硅衬底长度方向,z轴沿二氧化硅衬底厚度方向。极大的提高了全介质传感器的品质因数,进一步提高了全介质超表面传感器的分辨率。

著录项

  • 公开/公告号CN113916832A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 巴沃(镇江)光电子科技有限公司;

    申请/专利号CN202111368027.2

  • 发明设计人 杜庆国;梁坤林;于泉;毕凯;

    申请日2021-11-18

  • 分类号G01N21/41(20060101);G01N21/43(20060101);

  • 代理机构42104 武汉开元知识产权代理有限公司;

  • 代理人刘琳;刘代乐

  • 地址 212021 江苏省镇江市高新区南徐大道298号A座第9层911室

  • 入库时间 2023-06-19 13:52:41

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