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用于微影图案化的多层结构及半导体装置的形成方法

摘要

本揭露提供了一种用于微影图案化的多层结构及半导体装置的形成方法。多层结构包含基板、基板上方的底部抗反射涂层(BARC)层及BARC层上方的光阻层。BARC层包含聚合物及水解促进剂。光阻层包含通过包括可水解配位基的前体有机金属化合物的部分水解获得的有机金属二聚物。

著录项

  • 公开/公告号CN113917785A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN202111091475.2

  • 发明设计人 陈建志;

    申请日2021-09-17

  • 分类号G03F1/76(20120101);G03F1/22(20120101);H01L21/027(20060101);

  • 代理机构11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司;

  • 代理人徐金国

  • 地址 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号

  • 入库时间 2023-06-19 13:52:41

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