并行独立线程的低位密度存储器高速缓存

摘要

本申请涉及并行独立线程的低位密度存储器高速缓存。接收将与第一线程相关联的第一数据项写入到包括第一和第二部分的存储器装置的请求。第一部分包括高速缓存，其包括用于数据高速缓存的第一块和用于块压缩的第二和第三块。第二和第三块分别与高和低修改频率相关联。响应于确定第一块的第一存储器页可用于写入第一数据项，将第一数据项写入其中。确定与第一线程相关联的存储器页标准被满足。响应于识别与写入到第二或第三块中的至少一个的第一线程相关联的一组第二存储器页中的每一个，将每个前述存储器页的数据复制到第二部分。在第一块上将第一存储器页标记为无效，在第二或第三块的至少一个上将该组第二存储器页的每一个标记为无效。