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用于非易失性存储器编程操作的智能序言

摘要

对于通过编程和编程验证操作写入的非易失性(NV)存储介质(例如,NAND(与非)介质),系统可以应用智能序言操作。智能序言操作可以选择性地应用标准编程序言,以针对目标子块计算编程参数。智能序言操作可以选择性地应用加速的编程序言,从而针对NV存储介质的相同块的随后的子块应用先前计算出的编程参数。应用之前的编程参数可以减少针对其他子块计算编程参数的需要。

著录项

  • 公开/公告号CN113838512A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN202011516269.7

  • 申请日2020-12-21

  • 分类号G11C16/34(20060101);

  • 代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人刘瑜

  • 地址 美国加利福尼亚

  • 入库时间 2023-06-19 13:49:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-06-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C16/34 专利申请号:2020115162697 申请日:20201221

    实质审查的生效

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