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声表面波谐振装置及形成方法、滤波装置及射频前端装置

摘要

一种SAW谐振装置包括:压电基底;电极层,位于压电基底上,电极层包括IDT,IDT包括第一总线、多个第一电极条、第二总线及多个第二电极条,多个第一电极条的第一端连接第一总线,第一端相对的多个第一电极条的第二端靠近第二总线,第二端与第二总线之间为第一间隙,多个第二电极条的第三端连接第二总线,第三端相对的多个第二电极条的第四端靠近第一总线,第四端与第一总线之间为第二间隙;第一负载层,位于第四端上方,靠近第一端及第二间隙;第一介质层,位于电极层上方,覆盖第一负载层;第二负载层,位于第一介质层上,第二负载层位于第二端上方,靠近第三端及第一间隙;可以抑制横向寄生谐振,降低由负载层引入滤波装置通带内的分裂寄生谐振。

著录项

  • 公开/公告号CN113839648A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 常州承芯半导体有限公司;

    申请/专利号CN202111075400.5

  • 发明设计人 韩兴;周建;

    申请日2021-09-14

  • 分类号H03H9/25(20060101);H03H9/64(20060101);H03H9/02(20060101);H03H9/145(20060101);

  • 代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人吴敏

  • 地址 213166 江苏省常州市武进区国家高新技术产业开发区淹城南路518号

  • 入库时间 2023-06-19 13:49:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-08-29

    授权

    发明专利权授予

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