多沟槽式萧特基二极管

摘要

一种多沟槽式萧特基二极管，包含一半导体基层、一背金属层、一外延层、一层间介电层、一第一金属层、一钝化层与一第二金属层。其中，外延层堆叠于半导体基层，包含一终端沟槽结构、一第一沟槽结构、一第二沟槽结构及一第三沟槽结构。层间介电层是在一终端区内堆叠于外延层。第一金属层堆叠于终端沟槽结构与层间介电层，并延伸至第二沟槽结构与第三沟槽结构之间。钝化层堆叠于第一金属层与层间介电层。第二金属层堆叠于第一金属层与钝化层，并延伸至第一沟槽结构处。通过在终端区设置多个沟槽结构，可以有效的分散电场并避免崩溃电压过早发生。