首页> 中国专利> 一种表征碲镉汞红外探测器电极沉积损伤的方法

一种表征碲镉汞红外探测器电极沉积损伤的方法

摘要

本发明公开了一种表征碲镉汞红外探测器电极沉积损伤的方法,本发明所述方法能够有效对预设碲镉汞芯片的电极沉积损伤进行表征,从而优化电极生长条件,减少电极沉积损伤,最终提高了碲镉汞红外探测器的性能。

著录项

  • 公开/公告号CN113793814A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN202110994584.9

  • 发明设计人 何斌;刘明;宁提;祁娇娇;陈书真;

    申请日2021-08-27

  • 分类号H01L21/66(20060101);H01L31/18(20060101);

  • 代理机构11010 工业和信息化部电子专利中心;

  • 代理人张然

  • 地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路4号

  • 入库时间 2023-06-19 13:41:59

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号