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公开/公告号CN113793814A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-14
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第十一研究所;
申请/专利号CN202110994584.9
发明设计人 何斌;刘明;宁提;祁娇娇;陈书真;
申请日2021-08-27
分类号H01L21/66(20060101);H01L31/18(20060101);
代理机构11010 工业和信息化部电子专利中心;
代理人张然
地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路4号
入库时间 2023-06-19 13:41:59
机译: 互扩散的基于汞-镉-碲化物的红外探测器材料的缺陷减少
机译: 活化单晶人工晶体和通过喷涂或沉淀法沉积的多晶层,元素的硫族化物,碲,镉,铅,锌,汞的活化方法
机译:铟砷锑苷和汞镉碲化物与长波长红外探测器材料的比较
机译:碲镉汞薄层作为太赫兹和红外探测器
机译:汞-镉-碲化物红外探测器的表面钝化
机译:用于红外探测器的多孔硅和镉 - 汞 - 碲化酰胺(CMT)异质结构
机译:碲化汞镉和第三代红外探测器的汞镉硒材料的表征
机译:使用开放式管状涂有汞的玻碳电极在分析步骤中以恒定逆电流进行镉和铅的电位溶出分析
机译:研究镉变电站沉积在其他多晶纳米上的不同共吸附伏安法和微量重量研究阴离子影响镉在晶体金电极上的欠电位沉积
机译:窄间隙半导体中缺陷的电子表征 - 汞碲化镉,汞碲化锌和汞硒化锌中电子能级与形成能的比较