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一种高织构化纳米晶碲化铋的制备方法

摘要

一种高织构化纳米晶碲化铋的制备方法,涉及一种纳米晶碲化铋的制备方法。为了解决现有方法得到的碲化铋中织构与纳米晶不能共存的问题。根据分子式AzBix‑zSb2‑x+zTeySe3‑y的化学计量比称取原料,原料熔炼后熔融旋淬制备薄带,将薄带状材料沿同一方向堆叠排列,然后置于石墨模具中,利用热压炉在惰性气体保护下进行热压,得到高织构化纳米晶碲化铋基材料。本发明采用熔融旋淬法制备薄带原材料产生纳米级别的晶粒,薄带中的晶粒基本为沿薄带厚度方向生长的柱状晶引入了织构,对薄带进行堆叠热压烧结,能够保证织构的完整性,实现纳米级晶粒与织构同时保留。本发明适用于制备高织构化纳米晶碲化铋。

著录项

  • 公开/公告号CN113774492A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学;

    申请/专利号CN202111068225.7

  • 发明设计人 祝昊;耿慧远;

    申请日2021-09-13

  • 分类号C30B29/46(20060101);C30B29/60(20060101);C30B28/02(20060101);

  • 代理机构23213 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司;

  • 代理人侯静

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 入库时间 2023-06-19 13:41:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-11-15

    著录事项变更 IPC(主分类):C30B29/46 专利申请号:2021110682257 变更事项:发明人 变更前:祝昊耿慧远 变更后:耿慧远祝昊

    著录事项变更

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