一种FinFET结构中的Fin形貌设计方法

摘要

本发明提供一种FinFET结构中的Fin形貌设计方法，位于基底上的多个Fin结构，Fin结构及其上的缓冲层、硬掩膜层构成叠层；叠层侧壁覆盖第一侧墙；沉积有机分布层并刻蚀至将Fin结构侧壁的一部分暴露；继续沉积有机分布层，将Fin结构的部分包裹；在叠层侧壁形成第二侧墙；将有机分布层全部去除，与有机分布层接触的Fin结构侧壁部分被暴露；利用FCVD法沉积氧化层并退火，暴露出的Fin结构在退火过程中由于被氧化其宽度变窄；刻蚀去除硬掩膜层、缓冲层及第二侧墙。本发明通过FCVD将用作NMOS和PMOS的Fin结构中的部分氧化以减小其宽度，得到宽度变窄的抗穿通区域，针对该部分抗穿通区域可以使用更少的掺杂或不使用掺杂。通过缩小抗穿通区域的宽度，可以获得更好的短沟道效应。