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具有使EMI屏蔽件接地的导电底部填充坝的半导体装置组件及其制造方法

摘要

本申请涉及具有使EMI屏蔽件接地的导电底部填充坝的半导体装置组件及其制造方法。提供了一种半导体装置组件。所述组件包含衬底,所述衬底包含具有多个内部接触垫和至少一个接地垫的上表面和具有多个外部接触垫的下表面。所述组件进一步包含耦合到所述多个内部接触垫的半导体裸片、耦合到所述至少一个接地垫的导电底部填充坝,以及至少安置在所述半导体裸片与所述衬底之间的底部填充材料。所述底部填充材料包含所述半导体裸片与所述底部填充坝之间的圆角。所述组件进一步包含安置在所述半导体裸片、所述圆角和所述导电底部填充坝上方的导电EMI屏蔽件。

著录项

  • 公开/公告号CN113782518A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 美光科技公司;

    申请/专利号CN202110635277.1

  • 发明设计人 李仲培;

    申请日2021-06-08

  • 分类号H01L23/552(20060101);H01L23/16(20060101);H01L23/31(20060101);H01L21/56(20060101);

  • 代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人王龙

  • 地址 美国爱达荷州

  • 入库时间 2023-06-19 13:40:20

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