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公开/公告号CN113782518A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-10
原文格式PDF
申请/专利权人 美光科技公司;
申请/专利号CN202110635277.1
发明设计人 李仲培;
申请日2021-06-08
分类号H01L23/552(20060101);H01L23/16(20060101);H01L23/31(20060101);H01L21/56(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王龙
地址 美国爱达荷州
入库时间 2023-06-19 13:40:20
机译: 具有导电底部填充坝的半导体器件组件,用于接地EMI屏蔽和制造方法
机译: 一种使用男性/女性关节冲压屏蔽和导电密封件从电磁干扰(EMI)屏蔽和接地连接器组件的方法
机译: 半导体装置及其制造方法,其以导电材料为坝,可防止填充不足树脂的溢流现象。
机译:导电3D打印:电阻率依赖于填充图案和应用于EMI屏蔽
机译:加工方法对碳纳米河填充热塑性聚氨酯复合材料的微观结构,电导率和电磁波干扰(EMI)屏蔽性能的影响
机译:包含导电填料的EMI屏蔽复合材料的多重渗透方法
机译:填料表面处理对填充填充用EMI屏蔽的Ag涂层Cu薄膜的导电硅橡胶性能的影响
机译:可再加工底部填充的球栅阵列组件的热机械疲劳寿命预测方法
机译:基于增材制造和减材制造技术的直接材料再利用方法,用于从现有组件制造零件
机译:用于感应熔化器装置的感应线圈配置,底部漏极组件和高温头部组件及其控制和设计方法。