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使用光电标记对半导体器件进行裸片级唯一认证和序列化的方法

摘要

一种用于在裸片级标记半导体衬底以提供唯一认证和序列化的方法,该方法包括:使用基于掩模的光刻法将第一图案的光化辐射投射到该衬底上的光刻胶层上,该第一图案限定半导体器件结构;以及使用直写式投射将第二图案的光化辐射投射到该光刻胶层上,该第二图案限定具有唯一电气签名的唯一布线结构。

著录项

  • 公开/公告号CN113785384A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东京毅力科创株式会社;

    申请/专利号CN202080027902.8

  • 申请日2020-03-02

  • 分类号H01L21/3213(20060101);G03F7/20(20060101);H01L21/67(20060101);H01L23/544(20060101);

  • 代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人王伟楠;崔俊红

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2023-06-19 13:38:44

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-05-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/3213 专利申请号:2020800279028 申请日:20200302

    实质审查的生效

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