半导体结构及其形成方法和使用半导体结构检测偏移量的方法

摘要

本申请公开了一种半导体结构及其形成方法以及使用半导体结构测量偏移量的方法。该半导体结构包括：衬底；第一电阻结构，位于衬底表面并沿第一方向延伸；第二电阻结构，位于衬底表面并沿第一方向延伸，第二电阻结构具有与第一电阻结构相同的形状和尺寸；第一端子、第二端子和第三端子，沿着第一方向间隔地位于第一电阻结构表面；第四端子、第五端子和第六端子，沿着第二方向间隔地位于第二电阻结构表面；以及多个互连结构，电连接第一端子、第二端子、第三端子、第四端子、第五端子和第六端子，以形成惠斯通电桥。本申请所公开的半导体结构及其形成方法以及使用半导体结构测量偏移量的方法实现了OVL偏移的定量检测。