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光电子集成基板及其制作方法、光电子集成电路

摘要

本申请提供一种光电子集成基板及其制作方法、光电子集成电路,光电子集成基板中的光学传感器采用第一光电二极管和第二光电二极管层叠设置的结构,且第一光电二极管和第二光电二极管至少部分交叠,第一光电二极管吸收的信号光的波长与第二光电二极管吸收的信号光的波长不同。本申请通过使两个光电二极管分别吸收不同波长的光信号,实现双通道通信,提高了通信速度,并且由于两个光电二极管互相交叠,也避免了额外增加像素面积,有利于显示功能的集成。

著录项

  • 公开/公告号CN113764439A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-12-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 京东方科技集团股份有限公司;

    申请/专利号CN202111052049.8

  • 申请日2021-09-08

  • 分类号H01L27/144(20060101);

  • 代理机构11330 北京市立方律师事务所;

  • 代理人张筱宁;王存霞

  • 地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号

  • 入库时间 2023-06-19 13:37:05

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