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公开/公告号CN113764439A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-07
原文格式PDF
申请/专利权人 京东方科技集团股份有限公司;
申请/专利号CN202111052049.8
发明设计人 黄睿;顾鹏飞;朱海彬;王伟杰;王佳斌;李扬冰;
申请日2021-09-08
分类号H01L27/144(20060101);
代理机构11330 北京市立方律师事务所;
代理人张筱宁;王存霞
地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号
入库时间 2023-06-19 13:37:05
机译: 使用PN二极管和硅集成电路的光电子器件,该光电子器件包含相同的光电子器件
机译: 光电子集成电路单片集成在半导体基板上
机译: 使用PN二极管和硅集成电路(IC)的光电子器件,其中包括光电子器件
机译:Ⅲ-Ⅴ有源器件与光电子集成电路硅平台的单片集成
机译:平面光波电路(PLC)平台上的组装和电气布线技术,可实现光电子器件和集成电路(IC)的混合集成
机译:CMOS光电子雪崩模式硅LED改善了CMOS集成电路中的光学耦合
机译:基板集成电路 - 高频电子和光电子的新概念
机译:在微光电子集成电路的氧化钇薄膜中掺入led的控制。
机译:从动态活细胞成像到3D超结构:用于高压冷冻和相关光电子显微镜的新型集成方法
机译:光电子集成电路硅平台上石墨烯集成的研究
机译:光电子集成电路和器件的处理问题和技术。