半导体异质结/同质结及其制备方法和具有其的光催化剂

摘要

本发明公开了半导体异质结/同质结及其制备方法和具有其的光催化剂，半导体异质结/同质结包括：第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层设在第二半导体层上，所述第一半导体层和所述第二半导体层中至少之一的厚度不超出所述半导体异质结/同质结的空间电荷区宽度。该半导体异质结/同质结具有优异的氧化还原能力、最大化的有效活性表面、可控的内建电场、灵活的能带结构匹配和良好的稳定性，从而提高基于半导体异质/同质结的光全解水催化体系的光转化效率和拓展可选择的光催化材料，解决现有技术中光催化剂只能光解水制氢或降解污染物以及光全解水时效率低下的难题。