半导体异质结/同质结及其制备方法和具有其的光催化剂

摘要

本发明公开了半导体异质结/同质结及其制备方法和具有其的光催化剂，半导体异质结/同质结包括半导体过渡层、第一半导体层和第二半导体层，半导体过渡层包括半导体层，第一半导体层和半导体过渡层中半导体层直接接触，第二半导体层和半导体过渡层中半导体层直接接触，第一半导体层与第二半导体层不接触，第一半导体层和与其直接接触的半导体层至少之一的厚度不超出它们所形成的半导体异质结/同质结的空间电荷区宽度、和/或第二半导体层和与其直接接触的半导体层至少之一的厚度不超出它们所形成的半导体异质结/同质结的空间电荷区宽度。该半导体异质结/同质结具有优异的氧化还原能力、最大化的有效活性表面、可控的内建电场、灵活的能带结构匹配和良好的稳定性。