公开/公告号CN113897676A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-07
原文格式PDF
申请/专利权人 苏州紫灿科技有限公司;
申请/专利号CN202111129485.0
申请日2021-09-26
分类号C30B29/40(20060101);C30B25/04(20060101);C30B25/06(20060101);C30B25/18(20060101);C30B28/14(20060101);H01L33/00(20100101);
代理机构42231 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人柏琳容
地址 215000 江苏省苏州市吴江区黎里镇城司路158号
入库时间 2023-06-19 13:35:32
机译: ALN材料单晶膜外延生长的ALN材料和底物的单晶膜的制造方法
机译: 制备用作无裂纹氮化镓膜外延生长的衬底的单晶硅晶片的方法和结构及器件
机译: 制备用作无裂纹氮化镓膜外延生长的衬底的单晶硅晶片的方法和结构及器件