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一种单级次衍射劳厄透镜及制造方法

摘要

本申请的实施例公开了一种单级次衍射劳厄透镜及制造方法,所述单级次衍射劳厄透镜包括基体,基体包括第一表面;以及形成在第一表面上的衍射结构;沿垂直于第一表面的方向,衍射结构包括周期厚度以预设规则变化的多个膜层;多个膜层由第一靶材和第二靶材通过共溅射形成,第一靶材和第二靶材的溅射功率沿膜层的外延方向以相位差为π的余弦函数形式周期性变化,余弦函数的变化周期为膜层的周期厚度;其中,第一靶材的原子序数大于第二靶材的原子序数。本申请的透镜的结构能够有效抑制高级次衍射光,在光路中无需要使用OSA,有效增加了工作距离。

著录项

  • 公开/公告号CN113903488A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院高能物理研究所;

    申请/专利号CN202111159164.5

  • 申请日2021-09-30

  • 分类号G21K1/06(20060101);

  • 代理机构11435 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王亚萍

  • 地址 100049 北京市石景山区玉泉路19号(乙)院

  • 入库时间 2023-06-19 13:33:57

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