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公开/公告号CN113880878A
专利类型发明专利
公开/公告日2022-01-04
原文格式PDF
申请/专利权人 赢创运营有限公司;
申请/专利号CN202110724240.6
发明设计人 M·瓦格纳;C·I·孔克尔;H-W·莱纳;
申请日2021-06-29
分类号C07F7/30(20060101);C01B33/08(20060101);C01B33/06(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人柴丽敏
地址 德国埃森
入库时间 2023-06-19 13:33:57
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-01-04
公开
发明专利申请公布
机译: 用于生产锗硅层的三苯甲基羟甲基戊二烯和三氟硅烷基-三茂铁锗烷及其制备方法
机译: 硅环戊二烯衍生物和通过使用硅环戊二烯衍生物获得的有机电致发光元件
机译:第四族元素在石墨烯,硅烯,锗烯和苯乙烯上的吸附:哑铃形成
机译:Si_3C_2-环:从非共轭三硅环戊二烯到芳族三硅环戊二烯和环二硅萘化物
机译:气相电子衍射法获得的1,1-二甲基-1-硅环戊-3-烯(CH_3)_2SiC_4H_6和1,1-二甲基-1-锗环戊-3-烯(CH_3)_2GeC_4H_6的分子结构理论计算
机译:聚二氯化二烯和多二环戊二烯 - 二氧化硅纳米复合材料的介电性能
机译:4/14族金属的均金属和杂金属叔丁氧化物/环戊二烯与1/14族金属的混合配体(叔丁氧化物/环戊二烯)配位聚合物的合成与表征
机译:由硅烷阴离子MeSiC4Ph4合成11-双(1-甲基/氯-2345-四苯基-1-硅环戊二烯基)Ph4C4Si(Me / Cl)-(Me / Cl)SiC4Ph4 −•Li +或Na +和Silole Dianion SiC4Ph4 2-•2 Li +;氯化亚铁(FeCl2)对硅阴离子MeSiC4Ph4-•Li +或Na +的氧化偶联和氯化铜(CuCl2)对硅阴离子SiC4Ph4 2-•2 Li +的氧化偶联和氯化处理
机译:IV族元素在石墨烯,硅烯,锗烯和锡烯上的吸附:哑铃形成
机译:silenes和silenoids。 9.通过氯离子的硅 - 碳键的新裂解反应合成多官能双(第14族) - 取代的环戊二烯