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一种高精度带隙基准电压源电路

摘要

本发明涉及模拟电路技术领域,具体为一种高精度带隙基准电压源电路,其能够消除传统结构中运算放大器的失调电压对基准电压的影响,大大提高基准电压的精度,其包括电源VDD,所述电源VDD连接MOS管M0的源端,所述MOS管M0的漏端连接电阻R1,所述电阻R1另一端分别连接电阻R2一端和电阻R3一端,所述电阻R2另一端连接电阻R4一端,所述电阻R4另一端连接三极管Q1的发射极、所述电阻R3另一端连接三极管Q2的发射极,所述三极管Q1和所述三极管Q2的集电极、基极均接地。

著录项

  • 公开/公告号CN113885640A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 无锡思泰迪半导体有限公司;

    申请/专利号CN202111234236.8

  • 发明设计人 马辉;黄海滨;方帅;

    申请日2021-10-22

  • 分类号G05F1/567(20060101);

  • 代理机构32227 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人张宁;杨辰

  • 地址 214028 江苏省无锡市新吴区长江路16号

  • 入库时间 2023-06-19 13:32:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-01-03

    专利申请权的转移 IPC(主分类):G05F 1/567 专利申请号:2021112342368 登记生效日:20221221 变更事项:申请人 变更前权利人:无锡思泰迪半导体有限公司 变更后权利人:杭州思泰微电子有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:214028 江苏省无锡市新吴区长江路16号 变更后权利人:310000 浙江省杭州市富阳区春江街道富春湾大道2723号17幢295号

    专利申请权、专利权的转移

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