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一种基于SIMD的卷积运算的并行优化方法

摘要

本发明针对SIMD单指令多数据特性,提出提供一种基于SIMD的卷积运算的并行优化方法。在减少运算指令和内存读取的基础上,对feature从宽度方向进行分块,分块的宽度BN由可用的SIMD寄存器数决定,这是为了保证一次内层卷积运算数据都在寄存中,通过feature的合理分块,能够在每个块计算中复用kernel和feature,内存访问次数为原来访问次数的1/BN。具体地,本发明所述方法按块计算输出,对特征向量从宽度方向进行分块,每块的宽度由并行运算所使用的寄存器数决定,根据SIMD指令通过循环优化,在每个块中复用卷积核和部分特征向量,以保证一次内层卷积运算时所有共享数据均在寄存器中,不产生额外访存操作。

著录项

  • 公开/公告号CN113887695A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022-01-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京君正集成电路股份有限公司;

    申请/专利号CN202010635480.4

  • 发明设计人 刘倩;邱东升;

    申请日2020-07-03

  • 分类号G06N3/04(20060101);

  • 代理机构11706 北京竹辰知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人聂鹏

  • 地址 100193 北京市海淀区西北旺东路10号院东区14号楼一层A101-A113

  • 入库时间 2023-06-19 13:32:21

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