首页> 中国专利> 一种香草兰脱毒种苗的高通量繁育方法

一种香草兰脱毒种苗的高通量繁育方法

摘要

本发明提供了一种香草兰脱毒种苗的培养基组合,其特征在于,包括无菌种子萌发培养基、丛生芽诱导培养基和增殖生根培养基;所述无菌种子萌发培养基包括:0.3~1.0mg/L 6‑BA、0.1~1.0mg/L NAA和0.1~0.5mg/L GA3;所述丛生芽诱导培养基包括:1.0~2.5mg/L 6‑BA和0.1~0.5mg/LNAA;所述增殖生根培养基包括:0.1~0.5mg/L NAA和0.05~0.1mg/L GA3。本发明以特定的消毒手段保证香草兰组织无病毒感染,为香草兰脱毒苗再生提供无菌种子为外植体材料及特定的诱导培养基,并获得丛生芽,提高了种苗繁育效率及获得大量状态一致的脱毒组培苗,对日后的香草兰脱毒种苗的高通量繁育具有重要意义。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-06-10

    授权

    发明专利权授予

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号