纳米花结构的硫化铟锌与钼酸铋纳米片复合光催化剂及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种纳米花结构的Zn3In2S6与Bi2MoO6纳米片复合光催化剂的制备方法及其应用，该复合光催化剂是以水热合成法制备出三维的Zn3In2S6纳米花结构，然后再通过二次水热的方法在Zn3In2S6纳米花结构上引入二维的Bi2MoO6纳米片，从而构建出纳米花结构的Zn3In2S6与Bi2MoO6纳米片复合光催化剂。本发明所得复合光催化剂在可见光的作用下展现了优异的光催化降解四环素性能，且其制备方法简单，易于操作，适合推广应用。

说明书

技术领域

本发明属于光催化材料制备技术领域，具体涉及一种纳米花结构的Zn

背景技术

环境污染已引起全世界的广泛关注，尤其是抗生素的污染，已经严重危害到生态系统以及人类的生存环境。抗生素滥用日益突出，不仅对水生生物产生慢性毒理效应，且易产生耐药性，降低人体免疫力，从而影响人类身体健康。四环素类抗生素具有价格低廉、广谱抗菌等特点，是目前使用最广泛、用量最大的抗生素种类之一，其作用原理是通过阻碍氨酰tRNA与核糖体结合位点的结合来抑制菌体蛋白合成，从而达到抑菌作用。与其它抗生素相比，四环素类抗生素在环境中更稳定，持久性强，难于降解，因而更易残留在环境中，主要是来自畜禽养殖业、医院和药厂排污等的排放。如何解决抗生素污染水体是众多科学家研究的热点之一。近几年，因半导体光催化是一种绿色、安全和无二次污染的技术，已成为解决水体污染的理想技术之一。

Bi

发明内容

本发明的目的在于提供一种纳米花结构的Zn

为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种纳米花结构的Zn

1）Zn

将2 mmol InCl

2）纳米花结构的Zn

将一定量步骤1）制得的Zn

优选地，纳米花结构的Zn

所述Zn

本发明的显著优点在于：

本发明针对现有光催化氧化技术存在的问题，特别是Bi

附图说明

图1（a）为实施例1制得的Zn

图2为实施例1-实施例6所制得样品的XRD图；

图3为实施例1-实施例6所制得不同催化剂的四环素降解率柱状图；

图4为Zn

具体实施方式

为了使本发明所述的内容更加便于理解，下面结合具体实施方式对本发明所述的技术方案做进一步的说明，但是本发明不仅限于此。

实施例1

Zn

将2 mmol InCl

实施例2

二维Bi

将1 mmol Na

实施例3

1）Zn

将2 mmol InCl

2）纳米花结构的Zn

将0.032g步骤1）制得的Zn

实施例4

将实施例3步骤3）中Zn

实施例5

将实施例3步骤3）中Zn

实施例6

将实施例3步骤3）中Zn

光催化降解性能的评价

将40毫克催化剂加入到80毫升10 ppm的四环素溶液中，持续搅拌和暗吸附60分钟，以保证催化剂的吸附/脱附平衡。待暗吸附完毕后，开氙灯光照，每隔一定的时间后，取4毫升反应液离心，然后取上清液在紫外可见分光光度计上测试，实验结果见图3。

图1（a）为实施例1制得的Zn

图2为实施例1-实施例6所制得样品的XRD图。图中清楚地展示了纯相Bi

图3为实施例1-实施例6所制得不同催化剂的四环素降解率柱状图。通过该图可知，当Zn

图4为Zn

以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。