公开/公告号CN113862781A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-31
原文格式PDF
申请/专利权人 东莞市天域半导体科技有限公司;
申请/专利号CN202111107336.4
申请日2021-09-22
分类号C30B25/18(20060101);C30B29/36(20060101);C23C16/32(20060101);C23C16/56(20060101);C30B29/04(20060101);C30B28/14(20060101);
代理机构44332 广东莞信律师事务所;
代理人谢树宏
地址 523000 广东省东莞市松山湖北部工业城工业北一路5号二楼办公楼
入库时间 2023-06-19 13:30:50
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-12-20
授权
发明专利权授予
机译: 为在具有金刚石和碳化硅层的复合衬底上外延生长III族氮化物而准备的晶片前驱体以及在其上形成的半导体激光器
机译: 在碳化硅晶片上同质外延生长单晶碳化硅膜的方法
机译: 一种在晶片上准备外延生长反应器的重启的方法