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公开/公告号CN113873723A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-31
原文格式PDF
申请/专利权人 无锡英迪芯微电子科技股份有限公司;
申请/专利号CN202111072514.4
发明设计人 董渊;李响;张军;庄健;蔡胜凯;
申请日2021-09-14
分类号H05B45/3725(20200101);
代理机构32228 无锡华源专利商标事务所(普通合伙);
代理人过顾佳
地址 214028 江苏省无锡市清源路18号530创业大厦C502
入库时间 2023-06-19 13:27:45
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-09-15
授权
发明专利权授予
机译: 一种用于集成电路的一次性可编程存储器件,包括:形成在有源区和隔离层上的浮栅;形成在浮栅上的栅间电介质层;以及形成在栅间电介质层上的控制栅
机译: 用于非易失性浮栅存储单元的制造工艺,该非易失性浮栅存储单元集成在半导体衬底上并包含在具有相关控制电路的单元矩阵中
机译:用于低压低功耗模拟电路设计的批量驱动浮栅和批量驱动准浮栅技术
机译:基于低压高性能大容量驱动准浮栅的自偏置共源共栅电流镜
机译:基于高性能批量驱动准浮栅MOSFET的电流镜
机译:基于散装驱动的准浮栅电流镜的新型高性能ADC闪存
机译:一种新颖的高K SONOS型非易失性存储器和NMOS氧化ha Vth不稳定性研究,用于栅电极和界面处理效果。
机译:使用聚合物/ ZnO纳米复合材料的纳米浮栅的高性能透明晶体管存储器件
机译:基于高性能批量驱动的准浮栅MOSFET的电流镜
机译:一种估算辐射环境中浮栅提示电荷损失概率的方法。