公开/公告号CN113874989A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-12-31
原文格式PDF
申请/专利权人 昭和电工材料株式会社;
申请/专利号CN202080036328.2
发明设计人 名儿耶友宏;
申请日2020-06-16
分类号H01L21/56(20060101);H01L21/50(20060101);H01L23/31(20060101);H01L23/495(20060101);B65D65/40(20060101);B65H18/28(20060101);C09J7/25(20180101);C09J7/30(20180101);C09J179/08(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人白丽
地址 日本东京
入库时间 2023-06-19 13:27:45
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-06-09
著录事项变更 IPC(主分类):H01L21/56 专利申请号:2020800363282 变更事项:申请人 变更前:昭和电工材料株式会社 变更后:株式会社力森诺科 变更事项:地址 变更前:日本东京 变更后:日本东京
著录事项变更
机译： 用于半导体密封成型的临时保护膜的制造方法，具有临时保护膜的引线框架，具有临时保护膜的密封成型品以及半导体装置
机译： 用于半导体密封成型的临时保护膜，具有临时保护膜的铅框架，具有临时保护膜的密封成型体以及用于制造半导体装置的方法
机译： 用于半导体密封成型的临时保护膜，具有临时保护膜的铅框架，具有临时保护膜的密封成型体以及用于制造半导体装置的方法
