一种利用化学镀工艺提高半导体电火花线切割效率的方法

摘要

本发明涉及一种利用化学镀工艺提高半导体电火花线切割效率的方法，其特征是，包括以下步骤：将要进行电火花切割的半导体进行抛光处理，之后酒精超声清洗；配置化学镀所需溶液；将清洗后的半导体置于化学镀溶液中反应；取出已完成化学镀的半导体，进行装夹操作；将半导体的镀层面作为进电面与工作台相连，进行电火花线切割加工。上述技术方案中提供的利用化学镀工艺提高半导体电火花线切割效率的方法，半导体表面无需经过活化处理便能进行化学镀；镀层与半导体表面之间结合致密，有效降低接触电阻；且化学镀处理后半导体放电加工工艺更稳定，加工效率较铜箔进电提高73％，加工成本降低。