公开/公告号CN113707546A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-26
原文格式PDF
申请/专利权人 成都莱普科技有限公司;
申请/专利号CN202110937199.0
申请日2021-08-16
分类号H01L21/268(20060101);H01L21/28(20060101);H01L21/324(20060101);H01L29/45(20060101);
代理机构51214 成都九鼎天元知识产权代理有限公司;
代理人韩雪
地址 610041 四川省成都市高新区高朋大道11号
入库时间 2023-06-19 13:24:42
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-11-22
著录事项变更 IPC(主分类):H01L21/268 专利申请号:2021109371990 变更事项:申请人 变更前:成都莱普科技有限公司 变更后:成都莱普科技股份有限公司 变更事项:地址 变更前:610041 四川省成都市高新区高朋大道11号 变更后:610041 四川省成都市高新区安泰七路66号9号厂房1-3层
著录事项变更
机译: 方法包括:形成包括与半导体层的欧姆接触的器件异质结构以及包括包括与半导体层的欧姆接触的器件异质结构的器件
机译: 激光退火方法,用于半导体器件,半导体器件,激光退火方法,激光退火装置的控制装置和激光退火装置
机译: 一种形成半导体器件的选择性硅化物的方法和具有该半导体器件的半导体器件