包含具有至少部分地环绕第二含金属材料并且具有不同于第二含金属材料的结晶度的结晶度的第一含金属材料的字线的组合件

摘要

一些实施例包含存储器阵列，所述存储器阵列具有交替的绝缘层级与字线层级的竖直堆叠。沟道材料沿着所述堆叠竖直延伸。所述字线层级包含具有第一含金属材料和第二含金属材料的导电区。所述第一含金属材料至少部分地环绕所述第二含金属材料。所述第一含金属材料具有不同于所述第二含金属材料的结晶度的结晶度。在一些实施例中，所述第一含金属材料为大致非晶型，且所述第二含金属材料具有在从大于或等于约5nm到小于或等于约200nm的范围内的均值晶粒大小。电荷存储区与所述字线层级相邻。电荷阻挡区处于所述电荷存储区和所述导电区之间。