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一种具有光响应灵敏度差异的双发射态离子掺杂型量子点材料及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种具有光响应灵敏度差异的双发射态离子掺杂型量子点材料及其制备方法和应用。本发明首先通过水相合成方法制备得到离子掺杂ZnSe量子点(ZnSe:X QDs)核,再利用连续离子层吸附法进行ZnS壳层包覆,制备得到ZnSe:X/ZnS QDs。该量子点材料的本征发射和离子掺杂剂发射具有差异性的光响应灵敏度,在紫外光辐照下表现出颜色变化和光强变化的双重特征。该量子点材料在自然条件下透明无色具有隐藏性,光照下颜色变化具有瞬时性,光强变化具有可逆性。同时,该材料无毒无害,制备方法绿色环保、成本低廉。基于以上特征,ZnSe:X/ZnS QDs可作为一种设计合理、难以模仿的新型瞬时防伪材料。

著录项

  • 公开/公告号CN113667479A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 东华大学;

    申请/专利号CN202110889284.4

  • 发明设计人 王连军;王建成;周蓓莹;江莞;

    申请日2021-08-04

  • 分类号C09K11/88(20060101);B82Y20/00(20110101);B82Y40/00(20110101);B82Y30/00(20110101);

  • 代理机构31001 上海申汇专利代理有限公司;

  • 代理人翁若莹

  • 地址 201600 上海市松江区人民北路2999号

  • 入库时间 2023-06-19 13:20:03

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-11-04

    授权

    发明专利权授予

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