低电阻率重掺磷硅单晶生产装置及方法

摘要

本发明提供一种低电阻率重掺磷硅单晶生产装置及方法，属于硅单晶生产技术领域。该生产装置包括由石英材质制成的掺杂舟，所述掺杂舟包括红磷升华室及锗熔融室，以同时向硅熔液中掺杂磷及锗；所述红磷升华室的顶部开设若干红磷挥发孔，所述锗熔融室的底部开设若干锗渗漏微孔。掺杂红磷时，同时向硅熔液中掺杂单质锗，锗掺杂量为红磷掺杂量的1/14～3/14。实践表明，掺杂锗后，不仅不影响重掺磷硅单晶的性能，且能够有效提高低电阻率重掺磷硅单晶的整棒率，提高产品合格率，减少浪费。尤其地，生产电阻率为0.001Ω.cm以下的重掺磷硅单晶时，整棒率由不足10%提高至25%。