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一种磷化铟晶体的快速生长装置及生长方法

摘要

本发明涉及一种磷化铟晶体的快速生长装置及生长方法,包括:生长筒、入料机构以及过滤盘;所述生长筒顶部设置有护板,所述护板内侧设置有抵持件,所述抵持件端部固定连接有过滤盘,所述过滤盘上方设置有入料机构,所述过滤盘底部设置有进料筒,所述进料筒底部设置有转盘,所述转盘设置在所述生长筒内侧,所述转盘与所述生长筒同轴心设置;所述生长筒外侧设置有防护架,所述防护架底部设置有垫板,所述垫板底部设置有支架,所述支架上设置有电机,所述电机一端配合连接至转盘,所述生长筒内壁设置有加热件,所述生长筒底部设置有出料口,通过竖直方向层叠方式设置的入料机构与过滤盘能够将磷化铟晶体中的杂质进行过滤,使得进入进料筒内的磷化铟晶体的纯度较高,保证磷化铟晶体的高纯度。

著录项

  • 公开/公告号CN113668059A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 苏州中砥半导体材料有限公司;

    申请/专利号CN202110787958.X

  • 发明设计人 潘功寰;

    申请日2021-07-13

  • 分类号C30B29/40(20060101);C30B11/00(20060101);C30B11/06(20060101);

  • 代理机构44463 佛山粤进知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人耿鹏

  • 地址 215011 江苏省苏州市高新区珠江路900号5号楼101-1

  • 入库时间 2023-06-19 13:20:03

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