在DRAM标准单元上实现非逻辑操作的方法及电路

摘要

本发明提供一种在DRAM标准单元上实现非逻辑操作的方法及电路，所述方法包括在DRAM标准单元中存储逻辑电荷数据读取到位线上时，先将灵敏放大器中的第一外加电压线接入高电平，第二外加电压线接入低电平，使得DRAM标准单元的位线和取反位线的电压逐渐相近，再将灵敏放大器中的第一外加电压线接入低电平，第二外加电压线接入高电平，实现对DRAM标准单元的位线的控制；其中，所述第一外加电压线和所述第二外加电压线均分别连接于位线和取反位线之间，所述第一外加电压线处于DRAM标准单元和所述灵敏放大器之间，所述第二外加电压线处于所述灵敏放大器和预充电电路之间。本发明可以在不改变现有DRAM标准单元和外围电路的前提下，仅通过外加电压等操作实现DRAM标准单元的逻辑非的运算。