首页> 中国专利> 阳离子-阴离子复合插层型有机蒙脱石材料及其制备方法

阳离子-阴离子复合插层型有机蒙脱石材料及其制备方法

摘要

本发明公开了阳离子-阴离子复合插层型有机蒙脱石极其制备方法,该方法包括以下步骤:提纯钙基蒙脱石;对钙基蒙脱石进行水化处理:将提纯后的钙基蒙脱石制成水悬浮液,通过机械搅拌与超声作用混合的方式进行水化处理;制备阳离子-阴离子复合插层型有机蒙脱石材料:使用有机阳离子型表面活性剂和阴离子型表面活性剂,分别在超声分散作用和机械搅拌作用下,依次对蒙脱石进行插层。本发明的有机蒙脱石层间距高达5.2nm以上,热稳定性高,在有机相中分散均匀,剥离程度高,性能优异,可作为一种性能优异的填料应用到制备高分子纳米复合材料领域。

著录项

  • 公开/公告号CN102241403B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2013-03-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国地质大学(北京);

    申请/专利号CN201110119438.8

  • 发明设计人 张泽朋;张吉初;廖立兵;杜高翔;

    申请日2011-05-10

  • 分类号C01B33/44(20060101);

  • 代理机构北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人刘冬梅

  • 地址 100083 北京市海淀区学院路29号

  • 入库时间 2022-08-23 09:13:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-03-13

    授权

    授权

  • 2012-02-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 33/44 申请日:20110510

    实质审查的生效

  • 2011-11-16

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号