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公开/公告号CN113652640A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-11-16
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN202110961877.7
发明设计人 顾德恩;高靖;周鑫;平依瑶;于松雷;
申请日2021-08-20
分类号C23C14/08(20060101);C23C14/34(20060101);C23C14/58(20060101);
代理机构51232 成都点睛专利代理事务所(普通合伙);
代理人敖欢
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2023-06-19 13:16:59
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2022-10-04
授权
发明专利权授予
机译: 具有电化学沉积的具有亚微结构的钒二氧化钒薄膜的制备方法和使用相同方法制备的钒二氧化钒薄膜的制备方法
机译: 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成氧化钒薄膜的方法及其制备的氧化钒薄膜
机译: 用于柔性设备的基板,用于薄膜晶体管的薄膜晶体管,用于柔性设备的薄膜晶体管,用于柔性设备的薄膜晶体管,用于制造柔性薄膜元件的薄膜晶体管,用于制造薄膜器件的方法,制造方法和制造方法薄膜晶体管
机译:通过射频溅射制备的铜和铁基薄膜纳米复合材料。第二部分:使用可控的非原位氧化工艺制备和表征氧化物/氧化物薄膜纳米复合材料
机译:钒不锈钢共溅射膜热氧化制备高性能热致变色二氧化钒薄膜的新方法
机译:通过射频溅射制备的铜和铁基薄膜纳米复合材料。第一部分:使用可控的原位还原工艺精制和表征金属/氧化物薄膜纳米复合材料
机译:R.F.制备的氧化钒薄膜磁控溅射方法
机译:用于微辐射热计应用的脉冲直流磁控溅射氧化钒薄膜的制备,表征和沉积后修饰
机译:自旋电子应用中通过共溅射制备的Co掺杂TiO2柔性薄膜的类铁磁行为
机译:多层热电薄膜的溅射沉积:制备二维量子阱的方法