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通过原子层沉积获得的多层抗等离子体涂层

摘要

本公开涉及通过原子层沉积获得的多层抗等离子体涂层。本文描述了使用原子层沉积(ALD)工艺将抗等离子体涂层沉积到腔室部件的表面上的制品、系统和方法。抗等离子体涂层具有应力消除层和包含Y2O3‑ZrO2固溶体的层,并且均匀地覆盖特征,诸如纵横比为约3:1至约300:1的那些特征。

著录项

  • 公开/公告号CN113652669A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 应用材料公司;

    申请/专利号CN202110939273.2

  • 发明设计人 邬笑炜;D·芬威克;J·Y·孙;G·詹;

    申请日2018-01-22

  • 分类号C23C16/40(20060101);C23C16/455(20060101);H01J37/32(20060101);

  • 代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人汪骏飞;侯颖媖

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-06-19 13:16:59

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