一种用于GaN功率管的高侧双NMOS管分段驱动系统

摘要

本发明公开一种用于高侧GaN功率管的双NMOS分段驱动电路，在高侧GaN功率管开启过程中，通过dVS/dt检测电路检测出VS上升斜率并转化成控制电压Vctr，Vctr通过控制压控电流源输出电流大小来控制上拉NMOS的栅极电压上升速度，进而调节GaN功率管在弥勒平台期间栅极驱动电流大小；当检测到弥勒平台结束，通过电荷泵抬升上拉NMOS的栅极电压，最大化GaN功率管栅极驱动电流，加快其完全开启，实现了小的dv/dt噪声并保证了高侧GaN功率管快的开启速度，电路结构容易实现，占用面积小。