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一种高侧NMOS功率管预充电电路

摘要

本发明公开了一种高侧NMOS功率管预充电电路,包括高侧NMOS功率管,所述高侧NMOS功率管的栅极连接有电荷泵和预充电电路;所述预充电电路包括PM0、PM1、PM2、NM0和反相器IV,由信号CHG来控制预充电电路;其中NM0用于在预充电时将PM1的栅极与PM0的栅极短接在一起,使PM0和PM1同时导通;PM2用于预充电结束之后将PM1的栅极与源极短接在一起使PM1截止,切断高侧NMOS功率管的栅极与VCC之间的通路,本发明高侧NMOS功率管栅极电压预充电电路,使得预充电效果最佳。

著录项

  • 公开/公告号CN113328613A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-08-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳能芯半导体有限公司;

    申请/专利号CN202110601513.8

  • 发明设计人 闸钢;

    申请日2021-05-31

  • 分类号H02M1/36(20070101);H02H7/12(20060101);

  • 代理机构11212 北京轻创知识产权代理有限公司;

  • 代理人刘希豪

  • 地址 518000 广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室(入驻深圳市前海商务秘书有限公司)

  • 入库时间 2023-06-19 12:24:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2022-07-12

    授权

    发明专利权授予

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